導(dǎo)波雷達(dá)液位計(jì)的接地和屏蔽是電磁干擾、確保信號(hào)穩(wěn)定的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，需結(jié)合設(shè)備結(jié)構(gòu)、電纜特性、現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境（如電磁干擾強(qiáng)度、防爆要求）系統(tǒng)設(shè)計(jì)。以下是具體實(shí)施方法：

一、接地設(shè)計(jì)：消除地環(huán)路與靜電干擾

接地的核心目標(biāo)是：將設(shè)備外殼、電路參考地、屏蔽層等電位連接，避免地電位差導(dǎo)致的干擾，同時(shí)釋放靜電和浪涌能量。

1. 設(shè)備本體接地（安全接地 + 信號(hào)接地）

外殼接地：

導(dǎo)波雷達(dá)的金屬外殼（如法蘭、接線盒）需通過專用接地端子（M4/M5 銅質(zhì)螺栓）連接至現(xiàn)場(chǎng)接地網(wǎng)，接地線選用黃綠雙色銅芯線（截面積≥2.5mm2），確保接地電阻≤4Ω（防爆場(chǎng)合需≤1Ω）。

作用：釋放設(shè)備外殼積累的靜電（尤其在干燥環(huán)境或粉塵工況），防止靜電擊穿內(nèi)部電路；同時(shí)在雷擊或浪涌時(shí)，將過電壓導(dǎo)入大地，保護(hù)設(shè)備。

內(nèi)部電路接地（信號(hào)地）：

雷達(dá)的信號(hào)處理電路（如 MCU、ADC）需與設(shè)備外殼 “單點(diǎn)共地"（通過 0Ω 電阻或接地橋連接），避免形成 “地環(huán)路"（若電路地與外殼地多點(diǎn)連接，地電位差會(huì)產(chǎn)生干擾電流）。

若現(xiàn)場(chǎng)存在強(qiáng)干擾（如變頻器、高壓電機(jī)），需采用 “浮地設(shè)計(jì)"：電路地與外殼地通過電容（1000pF/250V）隔離，僅高頻干擾可通過電容泄放，低頻地電位差被阻斷。

2. 電纜屏蔽層接地：干擾耦合

導(dǎo)波雷達(dá)的信號(hào)電纜（如 4-20mA+HART 電纜、電源線）需采用雙層屏蔽電纜（內(nèi)絕緣層 + 鋁箔 + 編織網(wǎng)），屏蔽層的接地需遵循 “單端接地" 原則：

單端接地位置：優(yōu)先在控制系統(tǒng)側(cè)（如 DCS/PLC 機(jī)柜）接地，設(shè)備側(cè)屏蔽層懸空或通過電容（100pF）接地（避免兩端接地形成地環(huán)路）。

原理：地環(huán)路會(huì)因兩端地電位差（如 1V）產(chǎn)生干擾電流，通過屏蔽層耦合到信號(hào)線；單端接地可切斷環(huán)路，僅保留屏蔽層的 “電場(chǎng)屏蔽" 作用（阻擋外部電場(chǎng)干擾）。

連接方式：

電纜屏蔽層需與設(shè)備接線盒內(nèi)的屏蔽端子可靠連接（用專用壓接環(huán)壓接，避免絞接導(dǎo)致接觸不良），屏蔽層剝露長(zhǎng)度≤10mm，防止與其他金屬部件短路。

若為防爆場(chǎng)合，屏蔽層需通過防爆格蘭頭的 “接地爪" 與設(shè)備外殼導(dǎo)通，確保符合防爆標(biāo)準(zhǔn)（如 Ex d 隔爆型需保證屏蔽層與外殼的電氣連續(xù)性）。

3. 接地網(wǎng)兼容性：避免 “接地沖突"

若現(xiàn)場(chǎng)存在多個(gè)接地系統(tǒng)（如設(shè)備安全地、儀表信號(hào)地、防雷地），需確保導(dǎo)波雷達(dá)的接地與 “儀表專用接地網(wǎng)" 連接，而非直接接入動(dòng)力設(shè)備接地網(wǎng)（動(dòng)力接地網(wǎng)可能因電機(jī)啟停產(chǎn)生高頻噪聲）。

接地網(wǎng)電阻需定期測(cè)量（用接地電阻測(cè)試儀），潮濕環(huán)境（如化工罐區(qū)）需每 3 個(gè)月檢測(cè)一次，干燥環(huán)境每 6 個(gè)月檢測(cè)一次，確?！?Ω。